တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာတွင် CVD လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုသည်မှာ အဘယ်နည်း။

Chemical vapor deposition CVD ဆိုသည်မှာ လေဟာနယ်နှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်အခြေအနေများအောက်တွင် ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းနှစ်ခု သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းများကို ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းများ wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အပ်နှံထားသည့် အရာသစ်တစ်ခုဖြစ်လာစေရန် အချင်းချင်း ဓာတ်ပြုသည့်နေရာတွင် ဓာတ်ငွေ့ကုန်ကြမ်းများကို အချင်းချင်း ဓာတ်ပြုပါသည်။ ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုများဖြင့် ထူးခြားချက်မှာ မြင့်မားသော လေဟာနယ်၊ ရိုးရှင်းသော စက်ကိရိယာများ မလိုအပ်ဘဲ၊ ကောင်းမွန်သော ထိန်းချုပ်နိုင်မှုနှင့် ထပ်တလဲလဲ လုပ်ဆောင်နိုင်မှု၊ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် သင့်လျော်မှုတို့ကြောင့် ဖြစ်သည်။ dielectric/ insulating ပစ္စည်းများ၏ပါးလွှာသောဖလင်များကြီးထွားမှုအတွက်အဓိကအားဖြင့်အသုံးပြုသည်။, iအပါအဝင် Low Pressure CVD (LPCVD)၊ Atmospheric Pressure CVD (APCVD)၊ Plasma Enhanced CVD (PECVD)၊ Metal Organic CVD (MOCVD)၊ Laser CVD (LCVD) နှင့်စသည်တို့.

Atomic Layer Deposition (ALD) သည် အက်တမ်ဖလင်တစ်ခုအသွင်ဖြင့် အလွှာတစ်ခုပြီးတစ်ခု မျက်နှာပြင်အလွှာတစ်ခုပေါ်၌ အရာဝတ္ထုများကို အလွှာတစ်ခုအဖြစ် ပေါင်းထည့်သည့်နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အခြေခံအားဖြင့် CVD အမျိုးအစားတစ်ခုဖြစ်သည့် အက်တမ်စကေးပါးလွှာသောဖလင်ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာဖြစ်ပြီး ယူနီဖောင်း၏အလွန်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ၊ ထိန်းချုပ်နိုင်သောအထူနှင့် ချိန်ညှိနိုင်သောဖွဲ့စည်းမှုတို့ကြောင့် ထူးခြားချက်ဖြစ်သည်။ နာနိုနည်းပညာနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ စက်များနှင့် ပစ္စည်းများ၏ အရွယ်အစား လိုအပ်ချက်များသည် ဆက်လက်ကျဆင်းလာကာ စက်ပစ္စည်းတည်ဆောက်ပုံများ၏ အကျယ်မှ အတိမ်အနက်အချိုးသည် ဆက်လက်တိုးမြင့်လာကာ ဆယ်ကျော်သက်အရွယ်အထိ အသုံးပြုသည့်ပစ္စည်းများ၏ အထူကို လျှော့ချရန် လိုအပ်သည်။ nanometers အနည်းငယ်မှ nanometers အစဉ်လိုက် ပြင်းအား။ သမားရိုးကျ အပ်နှံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ALD နည်းပညာသည် ကောင်းမွန်သော အဆင့်လွှမ်းခြုံမှု၊ တူညီမှုနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိပြီး အကျယ်မှ အနက်အချိုး 2000:1 အထိ တည်ဆောက်နိုင်သောကြောင့် ၎င်းသည် ဆက်စပ်ကုန်ထုတ်မှုနယ်ပယ်တွင် အစားထိုး၍မရသော နည်းပညာတစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အသုံးချမှုနေရာများအတွက် အလားအလာကောင်းများနှင့်အတူ။

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) သည် ဓာတုအငွေ့ထွက်ခြင်းနယ်ပယ်တွင် အဆင့်မြင့်ဆုံးနည်းပညာဖြစ်သည်။ Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) သည် အုပ်စု III နှင့် II ၏ ဒြပ်စင်များနှင့် အုပ်စု V နှင့် VI ၏ ဒြပ်စင်များကို အလွှာအပေါ်ယံ၌ အပူပြိုကွဲစေသော တုံ့ပြန်မှုဖြင့်၊ အုပ်စု III နှင့် II ၏ ဒြပ်စင်များနှင့် အုပ်စု V နှင့် VI တို့၏ ဒြပ်စင်များအဖြစ် အပ်နှံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်သည်။ ကြီးထွားမှုအရင်းအမြစ်ပစ္စည်းများ။ MOCVD တွင် Group III-V (GaN၊ GaA စသည်တို့) ၏ ပါးလွှာသော အလွှာအသီးသီးကို ကြီးထွားစေရန် အပူပြိုကွဲမှုတုံ့ပြန်မှုမှတစ်ဆင့် အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ Group V နှင့် VI ဒြပ်စင်များအဖြစ် အုပ်စု III-V (GaN၊ GaAs စသည်ဖြင့်) ၊ VI (Si၊ SiC စသည်ဖြင့်) နှင့် များစွာသော အစိုင်အခဲဖြေရှင်းနည်းများ။ နှင့် multivariate solid solution သည် ပါးလွှာသော တစ်ခုတည်းသော crystal ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး photoelectric ကိရိယာများ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ကိရိယာများ၊ ပါဝါကိရိယာပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရန် အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် optoelectronic စက်များ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်စက်များနှင့် ပါဝါကိရိယာများအတွက် ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန် အဓိကနည်းလမ်းဖြစ်သည်။

Semicorex သည် semiconductor လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် MOCVD SiC coatings တွင် အထူးပြုပါသည်။ သင်သည်မည်သည့်မေးခွန်းများသို့မဟုတ်နောက်ထပ်အချက်အလက်များကိုလိုအပ်ပါက, ကျေးဇူးပြုပြီးကျွန်ုပ်တို့ကိုဆက်သွယ်ပါ။

ဆက်သွယ်ရန်ဖုန်း #+၈၆-၁၃၅၆၇၈၉၁၉၀၇

အီးမေးလ်-sales@semicorex.com