pvt နည်းလမ်းအားဖြင့်ပြင်ဆင် sic crystals

ဆီလီကွန်ကာလက်တစ်ချောင်းတည်း crystals များကိုပြင်ဆင်ရန်အဓိကနည်းလမ်းမှာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT) နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းကိုအဓိကအားဖြင့်တစ် ဦး ပါဝင်သည်Quartz Tube လိုင်တစ်အပူဒြပ်စင်(induction coil သို့မဟုတ် captite အပူပေးစက်),ဖိုက်ဖွန်ကာဗွန်ခံစားခဲ့ရပစ္စည်း, တစ် ဦးCRABRISHတစ် ဦး ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်မျိုးစေ့ကျောက်စိမ်း, ဆီလီကွန်ကာလက်အမှုန့်နှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်မိုမီတာ။ ဆီလီကွန်ကာလက်သည်အမှုန့်သည်ဂရိုက်ပိုးမွှား၏အောက်ခြေတွင်တည်ရှိပြီးမျိုးစေ့ crystal ကိုထိပ်တွင်တပ်ဆင်ထားသည်။ Crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်မှာအောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည် - Crucible ၏အောက်ခြေရှိအပူချိန်ကိုအပူ ပေး. (induction or resolance) မှ 2100-2400 ° C အထိထမြောက်သည်။ Silicon carbide အမှုန့်သည်ဤမြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပြိုကွဲပျက်စီးနေသောဤမြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပြိုကွဲပျက်စီးသွားပြီး SI, SI₂Cနှင့် SICAF ကဲ့သို့သောဓာတ်ငွေ့ပစ္စည်းများကိုထုတ်လုပ်ခြင်း။ လိုင်အတွင်းရှိအပူချိန်နှင့်အာရုံစူးစိုက်မှု gradients ၏လွှမ်းမိုးမှုအောက်တွင်ဤကြီးမားသောပစ္စည်းများသည်မျိုးစေ့၏အောက်ပိုင်းမျက်နှာပြင်မျက်နှာပြင်ကိုပို့ဆောင်ပေးပြီးနောက်ဆုံးတွင်ဆီလီကွန်ကာဘက် Carbide Crystal ၏ကြီးထွားမှုကိုပြည့်မီပြီးတဖြည်းဖြည်း 0 င်လာပြီးပျံ့နှံ့သွားခဲ့သည်။

ဆီလီကွန်ကာလက်တစ်ချောင်းတည်း crystals များကိုပြင်ဆင်ရန်အဓိကနည်းလမ်းမှာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT) နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းကိုအဓိကအားဖြင့်တစ် ဦး ပါဝင်သည်

1) ကြည်လင်တိုးတက်မှုအပူချိန်အကွက်အတွင်းရှိဖိုက်သောပစ္စည်း၏သန့်ရှင်းမှုသည်လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးရမည်။ ဖိုက်၏သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုသည် 5 × 10-6 ထက်နည်းသင့်သည်။ ၎င်းတို့အနက် B နှင့် Al element များသည် 0.1 × 10-6 အောက်သာရှိသင့်သည်။ ထိုဒြပ်စင်နှစ်ခုသည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ကာလက်ထက်တွင်တွင်းလွတ်မြောက်ရေးတွင်းများထုတ်လုပ်လိမ့်မည်။ ဤဒြပ်စင်နှစ်ခု၏အလွန်အကျွံပမာဏသည်ဆီလီကွန်ကာလက်ကိရိယာများ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုအကျိုးသက်ရောက်စေသည့်ဆီလီကွန်ကာလက်ထက်တွင်မတည်ငြိမ်သောလျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်အညစ်အကြေးများရှိနေခြင်းသည်ကျောက်စိမ်း၏ချို့ယွင်းချက်များနှင့်မလွှဲပြောင်းမှုများဆီသို့ ဦး တည်သွားစေပြီးနောက်ဆုံးတွင်ကြည်လင်၏အရည်အသွေးကိုထိခိုက်စေနိုင်သည်။

2) မျိုးစေ့ crystal poarity ကိုမှန်ကန်စွာရွေးချယ်ရမည်။ C (0001) လေယာဉ်ကို 4h-Sic Crystals ကြီးထွားရန်အသုံးပြုနိုင်ပြီး SI (0001) လေယာဉ်သည် 6h-Sic crystals များကိုစိုက်ပျိုးရန်အသုံးပြုသည်။

3) ကြီးထွားမှုအတွက် 0 င်ရိုးမျိုးစေ့ crystals ကိုသုံးပါ။ 0 င်ရိုးမျိုးစေ့ကျောက်စိမ်း၏အကောင်းဆုံးထောင့်သည် 4 ဒီဂရီဖြစ်ပြီးကျောက်သလင်း orientation ကိုညွှန်ပြနေသည်။ Off-Axis မျိုးစေ့ crystals သည်ကြည်လင်သောကြီးထွားမှု၏အချိုးအစားကိုပြောင်းလဲစေပြီး crystal တွင်ချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၎င်းသည်ကြည်လင်သောကြီးထွားမှုများကိုပိုမိုယူနီဖောင်းများ,

4) ကောင်းသောမျိုးစေ့ကျောက်စိမ်းမွေးမြူရေးလုပ်ငန်း။ မျိုးစေ့၏နောက်ကျောဘက်ခြမ်းသည်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပြိုကွဲပြီးသုတ်သင်ရှင်းလင်းသည်။ Crystal ကြီးထွားမှုတွင်ဆန့်ကျင်ဘက်ဆိုင်ရာဗွီဒီယိုများသို့မဟုတ် Microtube ချို့ယွင်းချက်များကိုပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုအတွင်း၌ပင်ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ ပြင်းထန်သောရောဂါများတွင်ကြီးမားသော area ရိယာ polymorphic crystals များကိုထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်မျိုးစေ့ကျောက်ဆောင်၏နောက်ဘက်ဘက်ကကြိုတင်ပြင်ဆင်ထားရန်လိုအပ်သည်။ အထူ 20 ကိုအထူနှင့်အတူသိပ်သည်း photoresist အလွှာတစ်မျိုးမျိုးစေ့ crystal ၏ Si မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် coated နိုင်ပါတယ်။ အပူချိန်မြင့်မားသောကာဗွန်ဓာတ်သည် 600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် 600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ကာဗွန်ဓာတ်ငွေ့ရုပ်ရှင်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းထားသည်။ ထို့နောက်၎င်းသည်အပူချိန်နှင့်ဖိအားအောက်ရှိဇယားကွက်သို့မဟုတ်ဖိုက်စက္ကူများနှင့်ကပ်လျက်တည်ရှိသည်။ ဤနည်းဖြင့်ရရှိသောမျိုးစေ့ကျောက်စိမ်းသည်ကြည်လင်သောအရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေပြီးမျိုးစေ့၏နောက်ကျောဘက်ခြမ်း၏စိတ်ကိုထိမိစေနိုင်သည်။

5. ကြည်လင်သောကြီးထွားမှုသံသရာအတွင်း Crystal ကြီးထွားမှု interface ၏တည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းပါ။ ဆီလီကွန်ကာဘက်မျော crystals များတဖြည်းဖြည်းတိုးလာသည်နှင့်အမျှကြည်လင်တိုးတက်မှု interface သည် silicon carbide powder ၏အောက်ခြေရှိ Silicon Carbide Powder ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့တဖြည်းဖြည်းရွေ့လျားသွားသည်။ ဤအချက်သည် Crystal ကြီးထွားမှု interface တွင်ကြီးထွားမှုပတ် 0 န်းကျင်တွင်အပြောင်းအလဲများကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၎င်းသည်လေထုပစ္စည်းသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှုန်းကိုလျော့နည်းစေပြီးကြည်လင်သောတိုးတက်မှုနှုန်းကိုနှေးကွေးစေသည်။ ဤပြ problems နာများကိုဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ထိန်းချုပ်မှုနည်းလမ်းများကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အချို့သောအတိုင်းအတာအထိလျော့ချနိုင်သည်။ Crystal ကြီးထွားမှုနှုန်းဖြင့်ဖြည်းဖြည်းချင်းရွေ့လျားမှုကိုဖြည်းဖြည်းချင်းရွေ့လျားစေရန် Crucible Motion Motion add သို့ဖြည်းဖြည်းချင်းထိန်းချုပ်ခြင်းကိုထိန်းချုပ်ရန် Crystal ကြီးထွားမှု interface တိုးတက်မှုနှုန်းကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်ရန်နှင့်တည်ငြိမ်သော 0 င်ရိုးနှင့် radial comeome gradient ကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

Semicorex သည်အရည်အသွေးမြင့်မားသည်graphite အစိတ်အပိုင်းများSIC Crystal ကြီးထွားမှုအတွက်။ သင့်တွင်မေးမြန်းစုံစမ်းလိုပါကသို့မဟုတ်နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များလိုအပ်ပါကကျွန်ုပ်တို့နှင့်ဆက်သွယ်ရန်မတွန့်ဆုတ်ပါနှင့်။

ဆက်သွယ်ရန် # + 86-13567891907 ဆက်သွယ်ရန်

အီးမေးလ်: Sales@semicex.com