မြင့်မားသော Electrostatic Chuck အတွက်မျက်နှာပြင်ကုသမှု

အပေြာင်းလျှပ်စစ်မှု ChuckSemiconductor ထုတ်လုပ်မှုနယ်ပယ်တွင်ယူနီဖောင်းအီလက်ထရီဖြန့်ချိခြင်း, ESC ၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်တစ်ခုမှာအလွန်အမင်းလည်ပတ်နေသော Plasma နှင့်ကျယ်ပြန့်သောအပူချိန်အကွာအဝေးနှင့်အပူချိန်အကွာအဝေးများကဲ့သို့သောအစွန်းရောက်လည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် statsorb wafers များဖြစ်သည်။

သူတို့၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်ပြင်ပဖွဲ့စည်းပုံသို့မဟုတ်အခြေခံပစ္စည်းပုံစံမဟုတ်သော်လည်း Surface Interestion.Without Professional Surface Meature.Without Professional Surface Interest.Without Professional Surface Mearner.Without Professional Surface Interest.

1 ။ ပလာစမာတိုက်စားခြင်းနှင့်သတ္တု ion ညစ်ညမ်းမှု

အကာအကွယ်မရှိသောကြွေထည်များသည် Plasma တိုက်စားမှုကိုစွဲလမ်းစေနိုင်သည်။

2 ။ မညီမညာဖြစ်နေသောအပူစီးကူးခြင်းနှင့်ပုံပျက်သောပုံပျက်သော

ကြမ်းတမ်းသောမျက်နှာပြင်များသို့မဟုတ်ညံ့ဖျင်းသောကုသမှုသည်မညီမျှပါESC, အပူ conduction ကိုအဟန့်အတားခြင်းနှင့် CD တူညီမှုကိုထိခိုက်။

3 ။ မတည်မငြိမ် electrostatic adsorption

Electrostatic Chuck ၏မျက်နှာပြင် insulation စွမ်းဆောင်ရည် (သို့) ကူးယူခြင်း၏တိကျသောထိန်းချုပ်မှုတိကျသောထိန်းချုပ်မှုသည်အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်မှုကိုအလွယ်တကူမလုံလောက်ခြင်းသို့မဟုတ်အလွန်အကျွံအစွန်အဖျားကိုအလွယ်တကူပို့ဆောင်နိုင်သည်။

ဤကဲ့သို့သောဖုံးအုပ်ခြင်းသည်အထူးသဖြင့်အပူချိန်နိမ့်သောလုပ်ငန်းစဉ်ပတ် 0 န်းကျင်ပတ် 0 န်းကျင်အတွက်သင့်လျော်သည်။

High-End Escs ၏ဘုံမျက်နှာပြင်ဆေးကုသမှုနည်းပညာများ -

1

ဤကဲ့သို့သောဖုံးအုပ်ခြင်းသည်အထူးသဖြင့်အပူချိန်နိမ့်သောလုပ်ငန်းစဉ်ပတ် 0 န်းကျင်ပတ် 0 န်းကျင်အတွက်သင့်လျော်သည်။

2 ။ စိန်ကဲ့သို့သောကာဗွန် (DLC) ကုတ်အင်္ကျီများ

မြင့်မားသောခဲယဉ်းသောပလာစမာခုခံမှုနှင့်ပွတ်တိုက်မှုနိမ့်ကျခြင်းနှင့်အတူသူတို့သည်ပစ္စည်းကိရိယာများကိုပေါင်းစပ်ရန်တိုက်စားခြင်းနှင့်အမှုန်ဆန့်ကျင်ရေးအသုံးချမှုများအတွက်သင့်တော်သည်။

3 ။ PVD ကူးယူကြသောကြွေထည်များ (ဥပမာ CRSIN နှင့် TIN)

ဤအမျိုးအစားသည်တိကျသော in ရိယာတွင်တည်ငြိမ်သော conductive လမ်းကြောင်းကိုတည်ဆောက်နိုင်ပြီး,

4. Themal conittion completings (ဥပမာစိန်အမှုန့်များနှင့် fluoropolymer hybrid coating)

ဤသို့သောအစဉ်အဆက်မျိုးသည်အပူမ 0 င်သောအရည်အသွေးများကိုအပူကူးယူခြင်းဖြင့်ပေါင်းစပ်ထားပြီး၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောအပူမြင့်ထိန်းချုပ်မှု ESC ၏လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီနိုင်သည်။