Plasma Dicing ဆိုတာဘာလဲ။

Plasma Dicing ဆိုတာဘာလဲ။

Wafer Dicing သည် Sicemonductor ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်နောက်ဆုံးခြေလှမ်းဖြစ်ပြီးဆီလီကွန်ယက်များကိုတစ် ဦး ချင်းစီချစ်ပ်များအဖြစ်ခွဲထုတ်ခြင်း။ ရိုးရာနည်းလမ်းများသည်စိန်ဓါးများသို့မဟုတ်လေဆာရောင်ခြည်ကိုအသုံးပြုပါချစ်ပ်များအကြားရှိလမ်းများပေါ်တွင်ဖြတ်တောက်ရန်စိန်ဓါးသွားများသို့မဟုတ်လေဆာရောင်ခြည်ကိုအသုံးပြုသည်။ Plasma Dicing သည်ခွဲခွာခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုအောင်မြင်ရန် fluorine plasma မှစပမော်ရှိသည့်လမ်းများရှိသည့်လမ်းများရှိပစ္စည်းများကို dicing streets များရှိပစ္စည်းများကိုဖယ်ထုတ်ရန်ခြောက်သွေ့သောဆွဲဆောင်မှုဖြစ်စဉ်ကိုအသုံးပြုသည်။ Semiconductor Technology တိုးတက်မှုနှင့်အတူစျေးကွက်သည်သေးငယ်။ ပါးလွှာသော, ပိုမိုရှုပ်ထွေးသောချစ်ပ်များပိုမိုများပြားလာသည်။ Plasma Dicing သည်ရိုးရာစိန်ဓါးများနှင့်လေဆာရောင်ခြည်ဖြေရှင်းနည်းများကိုတဖြည်းဖြည်းအစားထိုးသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော်အထွက်နှုန်း, ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်နှင့်ဒီဇိုင်းပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်မှုကိုတိုးတက်စေပြီး Semiconductor Indepartment ၏ပထမဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာနိုင်သည်။

Plasma Dicing သည် dicing လမ်းများရှိပစ္စည်းများဖယ်ရှားရန်ဓာတုနည်းလမ်းများအသုံးပြုသည်။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုမရှိ, အပူစိတ်ဖိစီးမှုမရှိ, ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာထိခိုက်မှုမရှိပါက၎င်းသည်ချစ်ပ်များကိုပျက်စီးစေမည်မဟုတ်ပါ။ ထို့ကြောင့် Plasma ကို အသုံးပြု. ကွဲကွာနေသောချစ်ပ်များသည်စိန်ဓါးများသို့မဟုတ်လေဆာရောင်ခြည်သုံးခြင်းများကို အသုံးပြု. ထိုအန်စာကိုသိသိသာသာပိုမိုမြင့်မားသောခုခံနိုင်မှုကိုသိသိသာသာပိုမိုမြင့်မားသည်။ စက်မှုသမာဓိရှိမှုတွင်ဤတိုးတက်မှုသည်အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်းရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာစိတ်ဖိစီးမှုခံယူသည့်ချစ်ပ်များအတွက်အထူးသဖြင့်တန်ဖိုးရှိသည်။

Plasma Dicing သည် chip ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုနှင့် chip output ကိုအလွန်တိုးတက်စေနိုင်သည်။ Diamond Blades နှင့် Laser Dicing သည်စာရေးဆရာများတစ်လျှောက်တွင် dicing လိုအပ်သည်။ Plasma Dicing သည်စာရေးဆရာများအားလုံးကိုတစ်ပြိုင်နက်တည်းလုပ်ဆောင်နိုင်သော်လည်း Chips ၏ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ Plasma Dicing သည်စိန်ဓါး (သို့) လေဆာအစက်အပြောက်အကျယ်အ 0 န်း၏အကျယ်နှင့်အတူကာယရေးအရလီမိတက်မကန့်သတ်ခြင်းမဟုတ်ဘဲ dicing streets များပိုမိုများပြားစေနိုင်သည်။ ဤဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းသည် wafer layout ကို straight for straight conce pather ၏အခက်အခဲများမှလွတ်မြောက်စေသည်။ ၎င်းသည် Wafer area ရိယာကိုအပြည့်အဝအသုံးချပြီး wafer area ရိယာကိုစက်မှုဒြပ်စင်အတွက်စွန့်လွှတ်ခဲ့သည့်အခြေအနေကိုရှောင်ရှားနိုင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည်အထူးသဖြင့်သေးငယ်သည့်ချစ်ပ်များအတွက်အထူးသဖြင့် chip output ကိုသိသိသာသာတိုးပွားစေသည်။

စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအညစ်အကြေးသို့မဟုတ်လေဆာဗက်ဓာတ်ငွေ့သည်အပျက်အစီးများနှင့်အမှုန်များရှိအမှုန်ခြည်ညစ်ညမ်းမှုကို Wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ထားရှိနိုင်ပြီးဂရုတစိုက်သန့်ရှင်းရေးနှင့်လုံးဝဖယ်ရှားရန်ခက်ခဲသည်။ Plasma Dicing ၏ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာသဘောသဘာဝက၎င်းသည်လေဟာနယ်စုပ်စက်များဖြင့်ဖယ်ရှားနိုင်သည့်ဓာတ်ငွေ့ကြီးများကိုထုတ်လုပ်နိုင်ကြောင်းဆုံးဖြတ်သည်။ သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောမဆေးနှင့်မတူသောအဆက်အသွယ်ခွဲခြာခြင်းသည်မောင်စ်ကဲ့သို့သောပျက်စီးလွယ်သောကိရိယာများအတွက်အထူးသဖြင့်သင့်လျော်သည်။ Wafer ကိုတုန်ခါရန်နှင့်အာရုံခံစားမှုဒြပ်စင်များကိုထိခိုက်စေခြင်းနှင့်အစိတ်အပိုင်းများအကြားအာရုံစိုက်ရန်အမှုန်များကိုထိခိုက်စေခြင်းငှါ၎င်း,

အားသာချက်များစွာရှိသော်လည်း Plasma Dicing သည်စိန်ခေါ်မှုများကိုတင်ပြသည်။ ၎င်း၏ရှုပ်ထွေးသောလုပ်ငန်းစဉ်သည်တိကျမှန်ကန်ပြီးတည်ငြိမ်သော dicing များကိုသေချာစေရန်မြင့်မားသောတိကျသောကိရိယာများနှင့်အတွေ့အကြုံရှိအော်ပရေတာများလိုအပ်သည်။ ထို့အပြင် Plasma Beam ၏မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်စွမ်းအင်သည်သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာထိန်းချုပ်မှုနှင့်လုံခြုံမှုကြိုတင်ကာကွယ်မှုများအတွက်တောင်းဆိုမှုများကိုပိုမိုမြင့်မားစေပြီး၎င်း၏လျှောက်လွှာ၏အခက်အခဲနှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုတိုးပွားစေသည်။