Silicon Carbide Wafer လုပ်ဆောင်ခြင်းတွင် ချို့ယွင်းချက်ရှာဖွေခြင်း။

Role ကဘာလဲSiC အလွှာSilicon Carbide စက်မှုလုပ်ငန်းမှာလား။

SiC အလွှာဆီလီကွန်ကာဗိုက်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အရေးပါဆုံးသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး ၎င်း၏တန်ဖိုး၏ 50% နီးပါးရှိသည်။ SiC အလွှာမပါဘဲ၊ SiC စက်များကို ထုတ်လုပ်ရန် မဖြစ်နိုင်သောကြောင့် ၎င်းတို့ကို မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ပစ္စည်းအခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်စေသည်။

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ပြည်တွင်းဈေးကွက်တွင် အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်မှု အောင်မြင်ခဲ့သည်။6 လက်မစီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အလွှာထုတ်ကုန်များ။ "China 6-inch SiC Substrate Market Research Report" အရ 2023 ခုနှစ်တွင် တရုတ်နိုင်ငံတွင် 6-လက်မ SiC အလွှာများ၏ ရောင်းအားသည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ စွမ်းဆောင်ရည်၏ 42% ကို ကိုယ်စားပြုပြီး အလုံးရေ 1 သန်းကျော် ရှိပြီး ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 50 အထိ ရောက်ရှိရန် မျှော်မှန်းထားသည်။ 2026 တွင် %

6 လက်မ silicon carbide နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 8-inch silicon carbide သည် စွမ်းဆောင်ရည် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ ပထမဦးစွာ၊ ပစ္စည်းအသုံးချမှုနှင့်ပတ်သက်၍ 8 လက်မ wafer သည် 6-inch wafer ၏ဧရိယာထက် 1.78 ဆရှိပြီး တူညီသောကုန်ကြမ်းသုံးစွဲမှုဖြင့် ဆိုလိုသည်မှာ၊8 လက်မ wafersစက်ပစ္စည်းများကို ပိုမိုထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး ယူနစ်ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။ ဒုတိယအနေဖြင့်၊ 8 လက်မအရွယ် SiC အလွှာတွင် သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်သော ကူးယူနိုင်စွမ်းရှိသောကြောင့် စက်များ၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ထို့အပြင် 8 လက်မ SiC အလွှာများ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် 6 လက်မအရွယ် အလွှာများထက် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး စက်ပစ္စည်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် အပူပျံ့နှံ့မှုစွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် SiC Epitaxial အလွှာများသည် မည်ကဲ့သို့ အရေးပါသနည်း။

epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်သည် SiC ပြင်ဆင်မှုတွင် တန်ဖိုး၏ လေးပုံတစ်ပုံနီးပါးရှိပြီး ပစ္စည်းများမှ SiC စက်ပစ္စည်းပြင်ဆင်မှုသို့ ကူးပြောင်းရာတွင် မရှိမဖြစ်အဆင့်တစ်ခုဖြစ်သည်။ epitaxial အလွှာများ၏ပြင်ဆင်မှုတွင်အဓိကအားဖြင့် monocrystalline ရုပ်ရှင်တစ်ခုကြီးထွားလာခြင်းပါဝင်သည်။SiC အလွှာထို့နောက် လိုအပ်သော ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုသည်။ လောလောဆယ်တွင်၊ epitaxial အလွှာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အဓိကအကျဆုံးနည်းလမ်းမှာ အက်တမ်နှင့် မော်လီကျူး ဓာတုဓာတ်ပြုမှုမှတစ်ဆင့် ဓာတ်ငွေ့ထွက်ရှိသော ရှေ့ပြေးဓာတ်ပြုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုသည့် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) ဖြစ်သည်။ 8 လက်မအရွယ် SiC အလွှာ၏ပြင်ဆင်မှုသည်နည်းပညာအရစိန်ခေါ်မှုဖြစ်ပြီးလက်ရှိတွင်ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိထုတ်လုပ်သူအရေအတွက်အကန့်အသတ်ဖြင့်သာအမြောက်အမြားထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ 2023 ခုနှစ်တွင် တစ်ကမ္ဘာလုံးတွင် 8 လက်မအရွယ် wafers များနှင့် ပတ်သက်သည့် တိုးချဲ့စီမံကိန်း 12 ခုခန့်ရှိပြီး၊ 8 လက်မ SiC အလွှာများနှင့်၊epitaxial wafersစတင်တင်ပို့နေပြီဖြစ်ပြီး wafer ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် တဖြည်းဖြည်း အရှိန်မြှင့်လာသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာရှိ ချို့ယွင်းချက်များကို မည်သို့ဖော်ထုတ်သိရှိနိုင်သနည်း။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ၎င်း၏မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ပြင်းထန်သော ဓာတုဓာတ်မသန်စွမ်းမှုတို့ဖြင့် ၎င်း၏အလွှာများကို လှီးဖြတ်ခြင်း၊ ပါးလွှာခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းစသည့် အဓိကအဆင့်များအပါအဝင် စိန်ခေါ်မှုများစွာကို တင်ပြပါသည်။ ပြင်ဆင်ချိန်အတွင်း၊ လုပ်ဆောင်ချက်ဆုံးရှုံးမှု၊ မကြာခဏပျက်စီးမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်မှုတွင် အခက်အခဲများ ပေါ်ပေါက်လာပြီး နောက်ဆက်တွဲ epitaxial အလွှာများ၏ အရည်အသွေးနှင့် စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ ထို့ကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို ဖော်ထုတ်ခြင်းနှင့် ထောက်လှမ်းခြင်းသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အဖြစ်များသောချို့ယွင်းချက်များတွင် မျက်နှာပြင်ခြစ်ရာများ၊ အချွန်အတက်များနှင့် တွင်းများပါဝင်သည်။

ဘယ်လိုချို့ယွင်းချက်ရှိလဲ။ဆီလီကွန်ကာဗိုက် Epitaxial Wafersရှာတွေ့ပြီလား?

လုပ်ငန်းကွင်းဆက်၊ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial wafersဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများကြားတွင် နေရာယူထားပြီး၊ အဓိကအားဖြင့် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်နှုန်းနည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ စိုက်ပျိုးကြသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများကြောင့်၊ ပြိုလဲခြင်း၊ တြိဂံချို့ယွင်းချက်များ၊ မုန်လာဥနီချို့ယွင်းချက်များ၊ ကြီးမားသောတြိဂံချို့ယွင်းချက်များနှင့် ခြေလှမ်းစည်းခြင်းအပါအဝင် အခြားပုံဆောင်ခဲများတွင် ချွတ်ယွင်းချက်အမျိုးအစားများနှင့် ကွဲပြားပါသည်။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည် အောက်ပိုင်းစက်ပစ္စည်းများ၏ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို သက်ရောက်မှုရှိနိုင်ပြီး အချိန်မတန်မီ ပြိုကွဲခြင်းနှင့် သိသာထင်ရှားသော ယိုစိမ့်သောရေစီးကြောင်းများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

Downfall Defect ၊

တြိဂံချို့ယွင်းချက်

မုန်လာဥနီချို့ယွင်းချက်

ကြီးမားသော တြိဂံချို့ယွင်းချက်

အဆင့် Bunching Defect